新井 学 | 新日本無線(株)

スポンサーリンク

概要

• 新井 学の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 新日本無線(株)の論文著者

関連著者

• 新井 学

  新日本無線(株)

• 新井 学

  新日本無線株式会社

• 新井 学

  新日本無線(株)マイクロ波事業部

• 小野 修一

  新日本無線株式会社

• 小野 修一

  新日本無線(株)マイクロ波事業部

• 尾形 誠

  新日本無線株式会社

• 本田 弘毅

  新日本無線株式会社マイクロ波事業部

• 沢崎 浩史

  新日本無線株式会社マイクロ波事業部

• 片上 崇冶

  新日本無線株式会社

• 片上 崇治

  新日本無線株式会社

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

• 大島 武

  原子力研究開発機構

• 小野田 忍

  原子力研究開発機構

• 大島 武

  原研高崎

• 大嶋 武

  原研高崎

• 田中 保宣

  産業技術総合研究所

• 横尾 邦義

  東北大学 電気通信研究所

• 木村 親夫

  新日本無線株式会社技術開発本部

• 木村 親夫

  新日本無線株式会社

• 木村 親夫

  新日本無線(株)技術本部

• 小野田 忍

  日本原子力研究開発機構

• 寒河江 克巳

  東北大学 電気通信研究所

• 三村 秀典

  東北大学 電気通信研究所

• 元 光

  東北大学 電気通信研究所

• 池田 優

  東北大学 電気通信研究所

• 横尾 邦義

  株式会社イデアルスター

• 佐藤 高

  新日本無線株式会社

• 秋田 一路

  新日本無線株式会社マイクロ波事業部

• 宮本 洋之

  新日本無線株式会社

• 玉井 秀昭

  新日本無線株式会社

• 小野田 忍

  日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究所

もっと見る 閉じる

著作論文

• 結晶性ダイヤモンドからの電界電子放射
• バナジウムイオン注入ガードリングを用いた4H-SiC PiNダイオードの逆方向特性(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
• SiC半絶縁性基板上へのイオン注入を用いたMESFET作製
• イオン注入を用いた半絶縁性SiC基板上へのMESFETの作製(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• イオン注入を用いた半絶縁性SiC基板上へのMESFETの作製
• SiC高周波MESFETの開発
• SC-6-4 SiC 高周波デバイスの開発状況
• SiC高周波MESFETの開発(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
• SiC-MESFET高周波特性のゲート長依存性 : ショートチャネルSiC-MESFETの高周波特性
• SiC-MESFET高周波特性のゲート長依存性 : ショートチャネルSiC-MESFETの高周波特性
• ダイヤモンドの選択成長法
• 微細構造を有するタングステン層により電子放出面積を増大させたイリジウム被覆含浸型カソードの電子放出特性
• SiC高周波電子デバイスにおける最近の研究動向
• 耐放射線性の炭化ケイ素半導体デバイスの開発

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク