SiC-MESFET高周波特性のゲート長依存性 : ショートチャネルSiC-MESFETの高周波特性
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概要
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SiC-MESFETの高周波特性を評価するために、ゲート長が0.3、0.5、0.8、1.0、1.3、1.5μmのFETを同一基板上に作製した。そして、ゲート長が1.0μmより短くなると電流利得遮断周波数ft、および最大発信周波数fmaxのゲート長依存性が小さくなることを確認した。このことから、ゲート長が1.0μm以下になるとショートチャネル効果が生じていることが示唆された。そこで、ピンチオフ電圧のゲート長依存性やサブスレッショールド特性を測定して、ショートチャネル効果を検証した。そして、ゲート長とチャネル層厚みのアスペクト比が5以下になるとショートチャネル効果が生じることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-24
著者
-
尾形 誠
新日本無線株式会社
-
新井 学
新日本無線株式会社
-
新井 学
新日本無線(株)マイクロ波事業部
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小野 修一
新日本無線株式会社
-
本田 弘毅
新日本無線株式会社マイクロ波事業部
-
沢崎 浩史
新日本無線株式会社マイクロ波事業部
-
新井 学
新日本無線(株)
-
小野 修一
新日本無線(株)マイクロ波事業部
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