SiC高周波MESFETの開発(<特集>ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
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概要
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携帯電話に代表される移動体通信の急速な普及により,それら基地局に用いられる高周波パワートランジスタには更なる高出力化が要求されている.また,通信衛星やレーダの分野でも送信器の小型化,軽量化,長寿命化のためにTWTやマグネトロンの電子管に代わる高出力パワートランジスタの実現が期待されている.これらのニーズにこたえるトランジスタとして,シリコンカーバイド(SiC)を使った金属・半導体電界効果トランジスタ(MESFET)が注目されている.SiCは絶縁破壊電界,熱伝導度などの物性に優れ,高周波トランジスタとして高電力密度が得られることが理論的に期待される.これまでに,1GHzで出力電力密度4.2W/mmと同サイズのSi, GaAsのMESFETに比べて,高出力電力密度を得ることができた.本論文では,これら試作したSiC高周波MESFETの高周波特性を紹介するとともに,高周波特性を向上させるための研究動向について述べる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-01
著者
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尾形 誠
新日本無線株式会社
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新井 学
新日本無線株式会社
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新井 学
新日本無線(株)マイクロ波事業部
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小野 修一
新日本無線株式会社
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本田 弘毅
新日本無線株式会社マイクロ波事業部
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沢崎 浩史
新日本無線株式会社マイクロ波事業部
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新井 学
新日本無線(株)
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小野 修一
新日本無線(株)マイクロ波事業部
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