SiC高周波MESFETの開発
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概要
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We have developed high power SiC-MESFETs for high-freqeuncy applications. We obtained a cut-off freqeuncy of 9.3 GHz and a maximum oscillation frequency of 34.2 GHz from a 0.5μm gate MESFET. We measured pulsed output power characteristics of 54.1 W at 1.0 GHz and 11.2 W at 9.4 GHz from a 39.2mm-gate-MESFET and a 9.6mm-gate-width MESFET, respectivly.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2004-02-01
著者
-
尾形 誠
新日本無線株式会社
-
新井 学
新日本無線株式会社
-
新井 学
新日本無線(株)マイクロ波事業部
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小野 修一
新日本無線株式会社
-
本田 弘毅
新日本無線株式会社マイクロ波事業部
-
沢崎 浩史
新日本無線株式会社マイクロ波事業部
-
秋田 一路
新日本無線株式会社マイクロ波事業部
-
新井 学
新日本無線(株)
-
小野 修一
新日本無線(株)マイクロ波事業部
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