結晶性ダイヤモンドからの電界電子放射
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概要
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マイクロ波プラズマ気相成長法による単結晶および多結晶ダイヤモンドの成長とこれらの材料からの電子放射特性について述べる。単結晶Siティップ上に堆積した単結晶ダイヤモンドからの電子放射にはかなりの高電圧の印可が必要なのに対して、多結晶ダイヤモンドからは電子放射し易いことがわかる。これらの実験結果を踏まえて、Si基板上の多結晶ダイヤモンド膜の上に金属薄膜を堆積して製作したゲート付き平面陰極からは、10V程度の低電圧で面内一様な電子放射が可能である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-12-07
著者
-
新井 学
新日本無線株式会社
-
新井 学
新日本無線(株)マイクロ波事業部
-
小野 修一
新日本無線株式会社
-
横尾 邦義
東北大学 電気通信研究所
-
寒河江 克巳
東北大学 電気通信研究所
-
三村 秀典
東北大学 電気通信研究所
-
元 光
東北大学 電気通信研究所
-
池田 優
東北大学 電気通信研究所
-
横尾 邦義
株式会社イデアルスター
-
新井 学
新日本無線(株)
-
小野 修一
新日本無線(株)マイクロ波事業部
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