多孔質シリコンを用いたSi発光ダイオード : 発光型ディスプレイ関連 : 情報ディスプレイ
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概要
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p型単結晶Si表面を陽極化成し作製した多孔質Si上にn型微結晶SiCを堆積しpn接合を形成することにより、基板の抵抗率が異なる2種類のSiLEDを作製した。このLEDは順方向電圧印加時において充分肉眼で認識可能な可視発光を示した。また、多孔質Siの発光機構について検討し、多孔質Siの発光機構には2つの発光準位(弱い発光を示す量子閉じ込め効果による準位と強い発光を示す表面の準位)があることがわかった。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1993-01-21
著者
-
金光 義彦
筑波大学物理学系
-
松本 貴裕
スタンレー電気株式会社
-
北村 公一
新日本製鉄(株):(現)カリフォルニア大学留学中
-
北村 公一
新日鉄製鐵エレクトロニクス研究所
-
三村 秀典
東北大学 電気通信研究所
-
三村 秀典
新日鉄製鐵エレクトロニクス研究所
-
二木 登史郎
新日鉄製鐵エレクトロニクス研究所
-
松本 貴裕
新日鉄製鐵エレクトロニクス研究所
-
勝野 正和
新日鉄製鐵エレクトロニクス研究所
-
太田 泰光
新日鉄製鐵エレクトロニクス研究所
-
二木 登史郎
新日鉄エレクトロニクス研
-
北村 公一
新日本製鉄(株)第一技術研究所電子・制御研究開発センター
-
松本 貴祐
物性研
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