酸化鉄ウィスカーの成長とそれを用いた電子源(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
鋼板を大気中で炎で熱酸化させるという簡便な方法で、鋼板表面に直径30〜200nm、アスペクト比1000程度の新規な形状の酸化鉄ウイスカーを成長させる技術を開発した。この酸化鉄ウィスカーは鋼板表層の酸化膜から直接成長しているため、基板に強く固定されており、その電界放射電流は最大15mA/cm^2であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-07-27
著者
-
根尾 陽一郎
静岡大学電子工学研究所
-
岡田 守弘
静岡大学電子工学研究所
-
三村 秀典
静岡大学電子工学研究所
-
松本 貴裕
スタンレー電気
-
根尾 陽一郎
静岡大学・電子工学研究所
-
三村 秀典
静岡大学・電子工学研究所
-
松本 貴裕
スタンレー電気株式会社
-
三村 秀典
The Research Institute Of Electronics Shizuoka University
-
根尾 陽一郎
静岡大学 電子工学研究所
-
久保村 健二
金沢工業大学工学部
-
久保村 健二
金沢工業大学
-
松本 貴祐
物性研
関連論文
- 新型光源への応用を目指した新しいグラファイトフィールドエミッタの開発
- 新型光源への応用を目指した新しいグラファイトフィールドエミッタの開発(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- nc-Si MOSカソードの電子放射特性(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- エネルギー弁別X線CTによる材質識別イメージング(セキュリティカメラ,車載カメラ,サーベイランス技術,関連デバイス,および一般)
- 画像表示
- 1-2. 情報ディスプレイ(1.画像エレクトロニクス,映像情報メディア年報)
- VTF-FEAを用いたCdTe X線イメージングデバイスの開発
- 情報ディスプレイ
- グラフェンシート構造を有するナノニードルからの電子放出の安定化 : 炭素系カソード放射電流変動のモデル提案(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- GNF-FEDにおける電子軌道シミュレーションのための冷陰極エミッタモデルの検討
- GNF-FEDにおける電子軌道シミュレーションのための冷陰極エミッタモデルの検討(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- フィールドエミッタアレイを用いたCdTe放射線検出器の研究
- 集束電極付FEAを用いたCdTe-X線イメージセンサの提案(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- ガス相触媒化学気相蒸着法による鉄ナノ粒子形成とカーボンナノチューブの密度制御
- 窒化物ナノ蛍光体による新規紫外発光デバイスの研究
- nc-Si MOSカソードの電子放射特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- nc-Si MOSカソードの電子放射特性
- 電界集中係数緩和を用いた放射電流の安定化(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- シリコン微結晶面放射型冷陰極の電子放射特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- Si微小電子源とスミス・パーセル放射光応用 : 微小電子源を用いた新光源の提案(光・電子ナノデバイス)
- Si微小電子源とスミス・パーセル放射光応用 : 微小電子源を用いた新光源の提案(光・電子ナノデバイス)
- シリコン電界電子放射陰極の放射電子のエネルギー分析(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 半導体微小冷陰極の電子放射特性と高機能化
- MOSトンネルカソードからの電子放射特性
- GaAs/AlAs超格子のサブバンド特性とフィールドエミッタへの応用
- GNF-FEDにおける電子軌道シミュレーションのための冷陰極エミッタモデルの検討
- 画像表示
- 情報ディスプレイ(画像エレクトロニクス,映像情報メディア年報)
- 画像表示
- 情報ディスプレイ(画像エレクトロニクス,映像情報メディア年報)
- プローブナノリソグラフィーによる単電子トランジスタの開発
- CdTe放射線検出器を用いたイメージング装置の開発
- 放射角制御可能なマイクロカラム用電子銃の作成と評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 高収束電子ビームを目指した静電レンズ一体型フィールドエミッタの作製(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- Graphite Nanospinesを用いた小型・高出力X線管(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- カーボンナノチューブ構造体の熱電子源応用(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 静電レンズ一体型FEAの試作と評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- Field Emitter Arrayの高機能化とその応用 : FEAを用いた新規アプリケーションの提案(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Field Emitter Arrayの高機能化とその応用 : FEAを用いた新規アプリケーションの提案(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 集束電極付FEAを用いたCdTe-X線イメージセンサの提案(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- エネルギー弁別型半導体検出器と画像計測
- 真空ナノエレクトロニクスの現状と展望
- フィールドエミッションアレイを用いたX線イメージング技術
- 高精細FED用ダブルゲートFEAの開発
- 高精細FED用ダブルゲートFEAの開発(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 21aRH-9 電子線励起過程におけるEu^ドープ微小球からのwhispering gallery modeの観測(量子エレクトロニクス(高強度レーザー・コヒーレント過渡現象・微小共振器),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 共振器構造を用いた蛍光体の発光特性 : レーザ蛍光体の実現を目指して
- 共振器構造を用いた蛍光体の発光特性 : レーザ蛍光体の実現を目指して(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- クローバーリーフパターンの起源究明 : 電界放射・イオン顕微鏡によるクローバーリーフパターンの解析(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 色のカテゴリカル知覚と三種の色覚特性を考慮した配色調整 (映像表現&コンピュータグラフィックス ヒューマンインフォメーション メディア工学)
- 色のカテゴリカル知覚と三種の色覚特性を考慮した配色調整 (画像工学)
- 色のカテゴリカル知覚と三種の色覚特性を考慮した配色調整 (ITS)
- 2-4 PC-CdTe/a-Si : Hヘテロ接合を用いたX線撮像デバイス
- 酸化鉄ウィスカーの成長とそれを用いた電子源(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 酸化鉄ウィスカーの成長とそれを用いた電子源
- 環境適応ディスプレイ研究調査委員会
- 2-8 アモルファスシリコンと単結晶シリコンとのヘテロ接合ターゲット
- a-Si : H/c-Siヘテロ接合を用いた撮像デバイス
- 12) N形c-SiとP形a-Siのヘテロ接合ターゲット(〔テレビジョン電子装置研究会(第121回)画像表示研究会(第82回)〕合同)
- 2-3 a-Si : Hの軟X線撮像デバイスへの応用
- 静岡大学21世紀COE : ナノビジョンサイエンスの拠点創成(MPλ(Lambda)S,フォトニックネットワーク/制御,光波長変換,スイッチング,PON,一般)
- 画像表示
- (Y, La)_2O_3:Eu蛍光体のZn添加効果
- (Y, La)_20_3 : Eu蛍光体のZn添加効果
- (Y,La)_2O_3:Eu蛍光体のZn添加効果(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- マイクロサイズの電子線筐筒の開発とその応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- マイクロサイズの電子線筐筒の開発とその応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- マイクロサイズ電子線筐筒用の電子銃部に関する研究(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 静電レンズ一体型フィールドエミッタの作製方法の改良(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 表面プラズモン共鳴による光励起カソードに関する研究(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- nc-Si MOS冷陰極からのレーザ支援による電子放射(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- MEH-PPVナノファイバー形成とその発光特性評価 (電子ディスプレイ)
- MEH-PPVナノファイバー形成とその発光特性評価 (情報ディスプレイ)
- 12-5 Vertical Thin Film Field Emitter Arrayを用いたCdTe X線イメージングデバイス(第12部門 センシング2)
- 12-6 FEA駆動CdTe-X線イメージセンサ(第12部門 情報センシング2)
- MEH-PPVナノファイバー形成とその発光特性評価
- 12-2 高速CTを目指した低ステップCT撮影(第12部門 情報センシング2)
- 13-6 レーザー描画計算機ホログラム(第13部門 情報ディスプレイ1)
- 12-6 フォトン毎の立ち上がり信号を利用したCdTeイメージングセンサー(第12部門 センシング2)
- 12-4 低ステップX線CT撮像における垂直方向透過像を用いた画像補間(第12部門 センシング2)
- 12-5 フォトンカウンティングX線センサの高速化(第12部門 情報センシング2)
- 12-3 材料識別型フォトンカウンティングX線CT(第12部門 情報センシング2)
- 5-3 X線3D-CTを目指したホログラムデータへの直接変換と高速化(第5部門 立体映像技術)
- 5-7 フォトンカウンティング型X線イメージャを用いた材料識別可能なX線CT(第5部門 情報センシング1)
- 14-6 高精細FED用ダブルゲートFEA(第14部門 情報ディスプレイ2)
- 9-8 ホログラムによるエネルギー弁別型X線3DCTシステム(第9部門 立体映像技術)
- 1-3 電流量減少を抑制するダブルゲートFEA構造の提案(第1部門 情報ディスプレイ&ストレージ)
- 9-8 ホログラフィを用いたX線CT画像の立体化への試み(第9部門 情報ディスプレイ2)
- 5-6 フィールドエミッタ駆動X線イメージャー(第5部門 情報センシング1)
- 1-6 FEA駆動フォトンカウンティング型CdTe-X線イメージングデバイス(第1部門 センシング&コンシューマエレクトロニクス&ストレージ)
- 超高精細FED用微小電子源の電子光学特性
- 2-12 高精細FED用静電レンズ一体型FEAの試作と評価(第2部門 ディスプレイ)
- マグネタイトウィスカーからの電界放出電子のスピン偏極度
- マグネタイトウィスカーからの電界放出電子のスピン偏極度
- (第2回) 情報ディスプレイ技術の研究動向(映像情報メディア年報2013シリーズ)
- 表面プラズモン共鳴を用いたホトカソードの量子効率増加の取り組み(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- nc-Si MOS冷陰極からの電子放射における光照射効果(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 1-2. 情報ディスプレイ(1. 画像エレクトロニクス,映像情報メディア年報〜2008年4月から2010年3月の進展〜)
- 高温燃焼グラファイトカソードの特性評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス)
- シリコン冷陰極からの光支援による電子放射(電子管と真空ナノエレクトロニクス)