Si-MOSトンネル陰極の電子放射特性

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概要

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p-doped Si, SiO_2, n-Siの3層からなるSi-MOS構造トンネル陰極において,種々のトンネル酸化膜厚を持つ素子を製作し,その放射電子のエネルギー分布の測定を行った.その結果,適度の酸化膜厚においで,低エネルギー側と高エネルギー側との2つのピークを持つ分布が得られた.このことは,n-Si基板の価電子帯からのトンネル電子もMOSトンネル陰極の電子放射に関与していることを示唆している.また,ゲート電極表面へのCsコートを行った.Csコートにより,放射電流が著しく増大すると共に,より低エネルギー側の電子状態の測定が可能となることから,酸化膜中の電子の伝導機構など, トンネル陰極の電子放射機構の解明に有効な手段となると考えられる.
社団法人電子情報通信学会の論文
1996-12-13

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