直接遷移型GaAs/AlAs半導体超格子のPL特性に対するX準位の影響
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概要
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電場下における直接遷移型GaAs/AlAs半導体超格子の光学的特性に対するX準位の影響を検討した.その結果X1-Γ2共鳴の起こる電界においてX準位のシェルタルク段階遷移に伴い青色シフトするPL発光を観測した.そのPLはX1-Γ2共鳴の起こる電界で最大強度となる.キャリア掃き出しがX1-Γ2共鳴によって改善されることも観測した.これらの結果は直接遷移型超格子の光学特性がX準位に強く影響されることを示すものである.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-10
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