薄膜トランジスタ積層型ポリシリコン電子銃アレイの製造方法
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概要
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ポリシリコン電子銃アレイ(poly-Si FEA)と薄膜トランジスタ(TFT)を集積したTFT積層型poly-Si FEAを試作した。poly-Si FEAの形成には鋳型を利用した転写法を採用し、TFTはpoly-Si FEA上にモノリシックに作製した。TFTは放出電子電流量を制御するだけでなく、放出電子電流の変動の安定化に対しても有効である。本方法では、積層方法を取っているため、TFTによりpoly-Si FEAの作製領域を削減されることがないため、FEAの高密度形成が要求される薄膜ディスプレイ等への応用において有効な技術となるものと考えている。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-14
著者
-
藤田 博之
東京大学生産技術研究所マイクロメカトロニクス国際研究センター
-
三村 秀典
東北大学電気通信研究所
-
橋口 原
新日鉄(株)先端技術研究所
-
三村 秀典
ATR光電波通信研究所
-
藤田 博之
東京大学生産技術研究所
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