GaAs/AlAs type-I 超格子におけるΓ-X ミキシングに影響されたキャリアトランスポート
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概要
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GaAs/AlAs type-I短周期超格子において、フェムト秒レーザパルス励起下における時間分解光電流測定を行い、異常な電流の遅れ成分を見いだした。GaAs井戸層のΓ点の量子化凖位とAlAs障壁層のX点の量子化準位を計算した結果、異常な光電流の遅れ現象はX_1とそのすぐ右隣のΓ_2が共鳴するバイアス電圧近傍で生じていることがわかった。このことは、type-I超格子においても、ダイナミックな電流輸送特性はAlAs障壁層のX点の影響を受けることを示している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-11-24
著者
-
細田 誠
ATR光電波通信研究所
-
渡辺 敏英
ATR光電波通信研究所
-
三村 秀典
ATR光電波通信研究所
-
渡辺 敏英
Atr光電波通信研
-
細田 誠
大阪市立大学大学院工学研究科
-
大谷 直毅
ATR光電波通信研究所
-
冨永 浩司
ATR光電波通信研究所
-
藤原 賢三
九州工業大学
-
大谷 直毅
同志社大学理工学部電子工学科
-
藤原 賢三
九州工大
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