新井 学 | 新日本無線(株)マイクロ波事業部

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概要

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関連著者

• 新井 学

  新日本無線株式会社

• 新井 学

  新日本無線(株)マイクロ波事業部

• 新井 学

  新日本無線(株)

• 小野 修一

  新日本無線株式会社

• 小野 修一

  新日本無線(株)マイクロ波事業部

• 尾形 誠

  新日本無線株式会社

• 本田 弘毅

  新日本無線株式会社マイクロ波事業部

• 沢崎 浩史

  新日本無線株式会社マイクロ波事業部

• 横尾 邦義

  株式会社イデアルスター

• 嶋脇 秀隆

  八戸工業大学大学院工学研究科

• 横尾 邦義

  東北大学電気通信研究所

• 新井 学

  東北大学電気通信研究所

• 片上 崇冶

  新日本無線株式会社

• 嶋脇 秀隆

  東北大学電気通信研究所

• 片上 崇治

  新日本無線株式会社

• 志甫 諒

  日本原子力研究所

• 横尾 邦義

  東北大学 電気通信研究所

• 木村 親夫

  新日本無線株式会社技術開発本部

• 木村 親夫

  新日本無線株式会社

• 木村 親夫

  新日本無線(株)技術本部

• 志甫 諒

  東京工業大学

• 寒河江 克巳

  東北大学 電気通信研究所

• 森 雅弘

  東北大学電気通信研究所

• 三村 秀典

  東北大学 電気通信研究所

• 石塚 浩

  福岡工業大学工学部

• 元 光

  東北大学 電気通信研究所

• 池田 優

  東北大学 電気通信研究所

• 嶋脇 秀峰

  東北大学電気通信研究所

• 小野 昭一

  東北大学電気通信研究所

• 渡辺 聡彦

  日本原子力研究所 那珂研究所 核融合工学部

• 川崎 温

  埼玉大学理学部物理学科

• 伊藤 順司

  電子技術総合研究所プロセス基礎研究室

• 川崎 温

  Japan Atomic Energy Research Institute Fusion Research Establishment

• 佐藤 高

  新日本無線株式会社

• 伊藤 順司

  産業技術総合研究所

• 秋田 一路

  新日本無線株式会社マイクロ波事業部

• 宮本 洋之

  新日本無線株式会社

• 玉井 秀昭

  新日本無線株式会社

• 鹿山 英則

  東北大学電気通信研究所

• 川上 雅哉

  東北大学電気通信研究所

• 伊藤 順司

  電子技術総合研究所

• 川崎 温

  埼玉大学理学部

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著作論文

• 結晶性ダイヤモンドからの電界電子放射
• バナジウムイオン注入ガードリングを用いた4H-SiC PiNダイオードの逆方向特性(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
• SiC半絶縁性基板上へのイオン注入を用いたMESFET作製
• イオン注入を用いた半絶縁性SiC基板上へのMESFETの作製(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• イオン注入を用いた半絶縁性SiC基板上へのMESFETの作製
• 電界放射冷陰極アレイを用いた高効率マイクロ波逓倍増幅管
• SiC高周波MESFETの開発
• SC-6-4 SiC 高周波デバイスの開発状況
• SiC高周波MESFETの開発(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
• SiC-MESFET高周波特性のゲート長依存性 : ショートチャネルSiC-MESFETの高周波特性
• SiC-MESFET高周波特性のゲート長依存性 : ショートチャネルSiC-MESFETの高周波特性
• ダイヤモンドの選択成長法
• 微細構造を有するタングステン層により電子放出面積を増大させたイリジウム被覆含浸型カソードの電子放出特性
• Si電界放射陰極の電子放出特性
• ビーム物理研究における微小電子源の利用
• SiC高周波電子デバイスにおける最近の研究動向

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