尾形 誠 | 新日本無線株式会社
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
尾形 誠
新日本無線株式会社
-
新井 学
新日本無線株式会社
-
新井 学
新日本無線(株)マイクロ波事業部
-
小野 修一
新日本無線株式会社
-
新井 学
新日本無線(株)
-
小野 修一
新日本無線(株)マイクロ波事業部
-
本田 弘毅
新日本無線株式会社マイクロ波事業部
-
沢崎 浩史
新日本無線株式会社マイクロ波事業部
-
片上 崇冶
新日本無線株式会社
-
片上 崇治
新日本無線株式会社
-
秋田 一路
新日本無線株式会社マイクロ波事業部
著作論文
- SiC半絶縁性基板上へのイオン注入を用いたMESFET作製
- イオン注入を用いた半絶縁性SiC基板上へのMESFETの作製(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- イオン注入を用いた半絶縁性SiC基板上へのMESFETの作製
- SiC高周波MESFETの開発
- SC-6-4 SiC 高周波デバイスの開発状況
- SiC高周波MESFETの開発(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- SiC-MESFET高周波特性のゲート長依存性 : ショートチャネルSiC-MESFETの高周波特性
- SiC-MESFET高周波特性のゲート長依存性 : ショートチャネルSiC-MESFETの高周波特性