小野田 忍 | 日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究所
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概要
関連著者
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小野田 忍
日本原子力研究開発機構
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小野田 忍
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究所
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小野田 忍
原子力研究開発機構
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大嶋 武
原研高崎
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大島 武
原研高崎
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大島 武
原子力研究開発機構
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大島 武
日本原子力研究開発機構
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平尾 敏雄
日本原子力研究所 高崎研究所
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平尾 敏雄
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
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高橋 芳浩
日本大学理工学部
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平尾 敏雄
日本原子力研究開発機構
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高橋 芳宏
日本大学電子工学科
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平尾 敏雄
日本原子力研究開発機構:日本大学
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高橋 芳浩
日本原子力研究開発機構:日本大学
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大島 武
原子力機構
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小野田 忍
原子力機構量子ビーム
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小野日 忍
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
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松浦 秀治
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
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黒田 能克
三菱重工業
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谷口 尚
物材機構
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宮崎 尚
防衛大機能材料
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守本 純
防衛大機能材料
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磯谷 順一
筑波大図情メディア
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渡邊 賢司
物材機構
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神田 久生
物材機構
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田中 保宣
産業技術総合研究所
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守本 純
防衛大材料
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池田 博一
総合研究大学院大学
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黒田 能克
三菱重工業株式会社
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牧野 高紘
総合研究大学院大学
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柳川 善光
東京大学大学院
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小林 大輔
総合研究大学院大学
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廣瀬 和之
総合研究大学院大学
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齋藤 宏文
東京大学大学院
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高橋 大輔
三菱重工業株式会社
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石井 茂
三菱重工業株式会社
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草野 将樹
三菱重工業株式会社
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池淵 博
三菱重工業株式会社
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谷口 尚
物材研
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谷口 尚
物質・材料研究機構 物質研究所
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谷口 尚
物質・材料研究機構
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谷口 尚
(独)物質・材料研究機構ナノスケール物質萌芽ラボ 超高圧グループ
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谷口 尚
NIMS
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谷口 尚
物質・材料研究機構 超高圧グループ
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宮崎 尚
防衛大材料
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福田 盛介
宇宙航空研究開発機構
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谷口 尚
物質・材料研究機構 先端材料プロセスユニット 超高圧グループ
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松浦 秀治
大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻
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松浦 秀治
大阪電気通信大学
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角谷 均
住友電工
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齋藤 宏文
宇宙航空研究開発機構
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福田 盛介
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部(JAXA
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岡本 庸一
防衛大機能材料
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戸田 耕司
東京都市大機械システム
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神谷 富裕
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
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山本 卓
筑波大数理物質:crest-jst:wpi-mana
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森下 憲雄
原子力研究開発機構
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花屋 博明
原子力研究開発機構
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池田 博一
株式会社クボタ開発センター
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斎藤 宏文
宇宙研
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大西 一功
日本大学理工学部電子情報工学科
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福田 盛介
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部
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池田 博一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部
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小泉 聡
独立行政法人 物質・材料研究機構
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磯谷 順一
筑波大図情
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小泉 聡
物材機構
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芝田 利彦
日本大学理工学部電子情報工学科
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斎藤 宏文
宇宙航空研究開発機構
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府金 賢
日本原子力研究開発機構
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野尻 琢慎
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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柳澤 英樹
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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西野 公三
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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小泉 聡
無機材質研究所
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池田 博一
総合研究大学院大学:宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究本部
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小林 大輔
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部
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齋藤 宏文
宇宙研
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寺地 徳之
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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小泉 聡
物質・材料研究機構物質研究所
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小泉 聡
青山学院大学理工学部電気電子工学科
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福田 盛介
Institute Of Space And Astronautical Science Jaxa
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鹿瀬 和之
総合研究大学院大学:宇宙科学研究本部
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石井 茂
三菱重工株式会社
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戸田 耕司
東京都市大機シス
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神谷 富裕
日本原子力研究開発機構
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神谷 富裕
日本原子力研究所
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府金 賢
日本原子力研究開発機構:日本大学
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梅田 享英
筑波大学大学院 図書館情報メディア研究科
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岡本 庸一
防衛大材料
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高橋 大輔
三菱重工業株式会社名古屋誘導推進システム製作所
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新井 学
新日本無線(株)
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磯谷 順一
筑波大
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山本 卓
原子力機構
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Naydenov Boris
University of Ulm
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Dolde Florian
University of Stuttgart
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Fedder Helmut
University of Stuttgart
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Honert Jan
University of Stuttgart
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Jelezko Fedor
University of Ulm
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Wrachtrup Jorg
University of Stuttgart
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寺地 徳之
物材機構
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梅田 享英
筑波大
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若林 啓美
防衛大材料
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松浦 秀治
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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福田 盛介
宇宙航空研究開発機構/宇宙科学研究本部
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大島 武
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
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牧野 高紘
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
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小倉 俊太
日本大学理工学部
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村田 耕司
大阪電気通信大学
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森根 達也
大阪電気通信大学
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牧野 高紘
日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
-
牧野 高紘
日本原子力研究開発機構半導体耐放射線性研究グループ
著作論文
- 21aHT-5 ダイヤモンドのNVセンターの高濃度作成とスピン緩和(21aHT 格子欠陥・ナノ構造(炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 宇宙用論理LSIで発生する放射線誘起スパイクノイズの研究(宇宙応用シンポジウム-観測・通信衛星の軌道上評価と将来衛星搭載機器開発-)
- MOS構造における重イオン照射誘起電流
- C-10-6 MOS構造デバイスにおける重イオン照射誘起電流(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 2E-9 電子線照射LiNbO_3単結晶基板の評価(超音波物性,フォノン物理,光超音波エレクトロニクス&非線形,強力超音波,ソノケミストリー)
- 耐放射線性の炭化ケイ素半導体デバイスの開発
- 200kev電子線照射による4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度の変化(シリコン関連材料の作製と評価)
- 22pGQ-12 イオン照射によるダイヤモンド結晶中の窒素空孔センターの生成(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 2Pa1-2 電子線照射した半絶縁性6H-SiC単結晶の光音響分光法による評価(ポスターセッション)
- SiC半導体デバイスの進展と放射線
- MOS構造の重イオン照射誘起電流及びトータルドーズ効果(半導体材料・デバイス)
- 1-3 SOIデバイスのソフトエラー耐性強化に関する検討(セッション1「試験と要素技術」)
- 宇宙用論理LSIで発生する放射線誘起スパイクノイズの研究
- 電子線照射によるSiCの正孔の各種散乱機構の変化(シリコン関連材料の作製と評価)