牧野 高紘 | 日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
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概要
関連著者
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大島 武
日本原子力研究開発機構
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牧野 高紘
日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
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牧野 高紘
日本原子力研究開発機構半導体耐放射線性研究グループ
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廣瀬 和之
総合研究大学院大学
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牧野 高紘
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
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柴田 優一
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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小林 大輔
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻,宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所
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柴田 優一
東京大学大学院工学系研究科
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小林 大輔
東京大学大学院工学系研究科,宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所
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岡本 光央
産業技術総合研究所
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高橋 芳浩
日本大学理工学部
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小野田 忍
日本原子力研究開発機構
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高橋 芳宏
日本大学電子工学科
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高橋 芳浩
日本原子力研究開発機構:日本大学
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奥村 元
産業技術総合研
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原田 信介
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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小杉 亮治
産業技術総合研究所
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平尾 敏雄
日本原子力研究所 高崎研究所
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小野田 忍
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究所
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平尾 敏雄
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
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大槻 真嗣
宇宙航空研究開発機構
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大島 武
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
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小倉 俊太
日本大学理工学部
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廣瀬 和之
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻,宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所
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大島 武
日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
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星野 英二郎
東京大学大学院工学系研究科
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梯 友哉
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所
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廣瀬 和之車
東京大学大学院工学系研究科,宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所
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荒井 亮
筑波大学数理物質科学研究科
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梅田 享英
筑波大学数理物質科学研究科
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佐藤 嘉洋
筑波大学数理物質科学研究科
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大島 武
日本原子力研究開発機構半導体耐放射線性研究グループ
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小杉 亮治
産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター
著作論文
- 1-3 SOIデバイスのソフトエラー耐性強化に関する検討(セッション1「試験と要素技術」)
- C-12-39 0.2-μmFD-SOIプロセスで作られた位相同期回路の放射線耐性評価(メモリ及びデバイス・回路強調設計技術,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-28 民生用FPGAにおける放射線起因エラーの評価(LSIアーキテクチャ,C-12.集積回路,一般セッション)
- 4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)