MOS構造の重イオン照射誘起電流及びトータルドーズ効果(半導体材料・デバイス)
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概要
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MOS構造に重イオンを照射した際にゲート電極で観測される過渡電流の発生メカニズム,及びトータルドーズ効果による同電流の変化について検討を行った.AlゲートMOSFETのゲート領域に照射を行った結果,正及び負のピークを有する過渡電流がゲート電極に誘起され,また,その時間積分値は照射中のゲート電圧によらず0に収束することが分かった.これより,重イオン照射誘起ゲート電流は変位電流成分が支配的であることを実験的に明らかにした.また,^<60>Co-γ線照射により本過渡電流は大きく変化し,この変化はγ線照射により酸化膜中に捕獲された電荷に起因することを確認した.
- 2012-09-01
著者
-
小野田 忍
原子力研究開発機構
-
高橋 芳浩
日本大学理工学部
-
小野田 忍
日本原子力研究開発機構
-
高橋 芳宏
日本大学電子工学科
-
平尾 敏雄
日本原子力研究開発機構:日本大学
-
高橋 芳浩
日本原子力研究開発機構:日本大学
-
平尾 敏雄
日本原子力研究所 高崎研究所
-
小野田 忍
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究所
-
平尾 敏雄
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
-
小野日 忍
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
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