光CVD法によるシリコン窒化膜の評価

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
低温成膜法である光CVD法を用いてシリコン窒化膜の堆積を行い、アニールによる組成、および電気的特性の変化をXPS、C-V測定により評価した。堆積はSiH_2Cl_2、NH_3を用い、圧力300Pa、基板温度300℃、反応時間180分とし、アニールは、大気圧の窒素雰囲気中で、300℃〜800℃の温度範囲で60分行った。その結果、XPSによるSi,N,Oの組成比のアニールによる変化は認められなかった。一方、低温アニールによって電荷注入量およびDitの減少がみられたが、高温でのアニールで、電荷注入量、Ditが増加するという結果を得た。これらは、高温アニールにより、水素脱離に起因したトラップが発生し、電荷注入、Ditの増加が生じると考えられる。
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-07-26

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク