フラッシュEEPROMのチャージポンピング電流とメモリ特性劣化
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
フラッシュEEPROMの界面特性をチャージポンピング法により測定し、書き換えにともなう劣化の検討を行った。チャージポンピング電流の測定からドレイン及びソース近傍の界面準位による電流が分離でき、書き換え回数増加にともないソース近傍の界面準位が増加することがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-24
著者
-
大西 一功
日本大学理工学部電子情報工学科
-
高橋 芳浩
日本大学理工学部
-
高橋 芳宏
日本大学電子工学科
-
山本 克美
日本大学理工学部
-
佐藤 順平
日本大学理工学部
-
高橋 芳浩
日本原子力研究開発機構:日本大学
-
佐藤 順平
日本大学理工学部電子工学科
-
山本 克美
日本大学理工学部電子工学科
関連論文
- MNOS構造のトータルドーズ効果における絶縁膜厚依存性
- 三相一括クランプによる相電流の計測の検討
- 形状・窓径が可変なZCTセンサの開発研究
- ロゴスキーコイルによる零相電流検出の特性向上に関する検討
- MOS構造における重イオン照射誘起電流
- 半導体シングルイベント効果研究の現状
- 半導体素子に対する放射線照射効果 : 最近の研究傾向
- 第37回原子力および宇宙放射線効果会議 : (NSREC)報告
- 第4回宇宙用半導体素子放射線影響 : 国際ワークショップ報告
- 傾斜エッチング法を用いたMetal-Nitride-Oxide-Si構造絶縁膜中の固定電荷分布及び電荷量の絶縁膜厚依存性評価
- MNOS構造のトータルドーズ効果における絶縁膜厚依存性
- SOI構造における重イオン誘起電荷の測定
- 炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- 光CVD法によるシリコン窒化膜の熱処理効果
- 半導体素子の信頼性
- フラッシュEEPROMのチャージポンピング電流とメモリ特性劣化
- フラッシュEEPROMのチャージポンピング電流測定
- 光CVD法によるシリコン窒化膜の熱アニール効果
- 第19回国際故障解析シンポジウム(ISTFA'93)参加報告
- MOS構造のγ線照射前後での酸化膜中電荷分布評価
- C-10-6 MOS構造デバイスにおける重イオン照射誘起電流(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- Jet Vapor Deposition法により作製したSiC-MOS構造の電気的特性
- 光CVD法によるシリコン窒化膜の評価
- 放射線による半導体素子の劣化・故障(故障物理と信頼性)
- 学問としての「信頼性」
- 探訪「MEMS研究最前線」 : 東京大学生産技術研究所 藤田博之教授研究室
- MOS構造の重イオン照射誘起電流及びトータルドーズ効果(半導体材料・デバイス)
- 1-3 SOIデバイスのソフトエラー耐性強化に関する検討(セッション1「試験と要素技術」)