光CVD法によるシリコン窒化膜の熱処理効果
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概要
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低温成膜法である光CVD法を用いてシリコン窒化膜を作製し, 膜堆積後, および電極形成後の熱処理効果について評価検討を行った. 堆積温度は300℃であり, 熱処理温度は, 400〜800℃とした. XPSにより膜の組成分析を行った結果, 組成比N/Siは約0.9となり酸素が数at.%混入していることがわかり, また熱処理を行うことによるSi, N, Oの組成変化は認められなかった. C-V測定により捕獲電荷や界面準位密度を評価した結果, 膜堆積後400℃の熱処理を行うことにより捕獲電荷量が最小となり, 良好な界面特性が得られた. 800℃では水素脱雑に起因するトラップおよび界面準位密度の増加が見られた. また電極蒸着後に400℃で熱処理を行うことにより更に界面特性が改善された. この効果は電極であるアルミニウムの熱膨張によるストレスの変化によるものと考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-04-25
著者
-
大西 一功
日本大学理工学部電子情報工学科
-
高橋 芳浩
日本大学理工学部
-
高橋 芳宏
日本大学電子工学科
-
出口 泰
日本大学理工学部電子工学科
-
大西 理雄
日本大学理工学部電子工学科
-
高橋 芳浩
日本原子力研究開発機構:日本大学
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