フラッシュEEPROMのチャージポンピング電流測定
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概要
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フラッシュEEPROMの高密度化、高集積化が進んでいるが、磁気ディスクに取って代わる際の問題点として書き換え回数に伴う劣化、特に書き換えによるSi-SiO_2界面準位密度の増加が指摘されている。筆者らはフラッシュEEPROMの書き換えにともなう界面特性の変化の測定にチャージポンピング法を用いることを考慮し、各種のバイアス電圧条件下でのチャージポンピング電流を測定した。この測定から測定条件によりドレイン、ソース近傍の界面準位での電流を分離して測定できることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
大西 一功
日本大学理工学部電子情報工学科
-
高橋 芳浩
日本大学理工学部
-
高橋 芳宏
日本大学電子工学科
-
山本 克美
日本大学理工学部
-
佐藤 順平
日本大学理工学部
-
高橋 芳浩
日本原子力研究開発機構:日本大学
-
佐藤 順平
日本大学理工学部電子工学科
-
山本 克美
日本大学理工学部電子工学科
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