MOS構造のγ線照射前後での酸化膜中電荷分布評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
MOS構造の放射線照射効果一つとして、酸化膜中捕獲正電荷の増加がある。これらの電荷補捕位置は不明であり、正電荷捕獲の機構を知るためにも酸化膜中の電荷分布を把握することは重要である。HFエッチングにより酸化膜厚を面内で変化させ、各膜厚のV_mg>測定を行い、MOSキャパシタにおける放射線照射前後での酸化膜中電荷分布について検討を行った。今回の実験から、酸化膜中はSi-SiO_2界面付近に正電荷が局在し、その量は酸化膜厚に依存せず、製作時の酸化温度によって変化することがわかった。また放射線照射後は界面付近での電荷量の増加が認められ、照射による電荷の増加量もまた、製作時の酸化温度により変化することがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-07-26
著者
-
吉川 正人
日本原子力研究所・高崎研究所
-
大西 一功
日本大学理工学部電子情報工学科
-
高橋 芳浩
日本大学理工学部
-
高橋 芳宏
日本大学電子工学科
-
岡田 耕平
日本大学理工学部
-
今木 俊作
日本大学理工学部
-
吉川 正人
高崎原子力研究所
-
高橋 芳浩
日本原子力研究開発機構:日本大学
関連論文
- MNOS構造のトータルドーズ効果における絶縁膜厚依存性
- 三相一括クランプによる相電流の計測の検討
- 形状・窓径が可変なZCTセンサの開発研究
- ロゴスキーコイルによる零相電流検出の特性向上に関する検討
- MOS構造における重イオン照射誘起電流
- 半導体シングルイベント効果研究の現状
- 半導体素子に対する放射線照射効果 : 最近の研究傾向
- 第37回原子力および宇宙放射線効果会議 : (NSREC)報告
- 第4回宇宙用半導体素子放射線影響 : 国際ワークショップ報告
- 傾斜エッチング法を用いたMetal-Nitride-Oxide-Si構造絶縁膜中の固定電荷分布及び電荷量の絶縁膜厚依存性評価
- MNOS構造のトータルドーズ効果における絶縁膜厚依存性
- SOI構造における重イオン誘起電荷の測定
- 炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- 光CVD法によるシリコン窒化膜の熱処理効果
- 半導体素子の信頼性
- フラッシュEEPROMのチャージポンピング電流とメモリ特性劣化
- フラッシュEEPROMのチャージポンピング電流測定
- 光CVD法によるシリコン窒化膜の熱アニール効果
- 第19回国際故障解析シンポジウム(ISTFA'93)参加報告
- MOS構造のγ線照射前後での酸化膜中電荷分布評価
- C-10-6 MOS構造デバイスにおける重イオン照射誘起電流(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- Jet Vapor Deposition法により作製したSiC-MOS構造の電気的特性
- 光CVD法によるシリコン窒化膜の評価
- 放射線による半導体素子の劣化・故障(故障物理と信頼性)
- 学問としての「信頼性」
- 探訪「MEMS研究最前線」 : 東京大学生産技術研究所 藤田博之教授研究室
- MOS構造の重イオン照射誘起電流及びトータルドーズ効果(半導体材料・デバイス)
- 1-3 SOIデバイスのソフトエラー耐性強化に関する検討(セッション1「試験と要素技術」)