CVDにより直接成長させたCNTを用いたFED用電子源の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
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概要
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CVDによりカソード基板上に直接CNTを成長させる方法でFEDの電子源の研究開発を行っている。カソード基板として安価なガラスを用いるために、能動的に微粒子化行う独自な触媒FeZrNを用いてガラス基板上への低温成長を達成した。また、ガラス基板上に近接ゲート構造の微小エミッションサイトアレイを形成し、エミッションを確認した。
- 2004-01-17
著者
-
白石 哲也
三菱電機株式会社先端技術総合研究所fedプロジェクトグループ
-
中田 修平
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
細野 彰彦
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
-
奥田 荘一郎
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
沢田 隆夫
三菱電機株式会社先端技術総合研究室
-
多留谷 政良
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
-
奥田 荘一郎
三菱電機株式会社先端技術総合研究所fedプロジェクトグループ
-
奥田 荘一郎
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所 表示デバイス技術部
-
沢田 隆夫
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
-
中田 修平
三菱電機株式会社先端技術総合研究所fedプロジェクトグループ
-
中田 修平
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所 Fedプロジェクトグループ
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