ビーム支援プロセスによる電界放出電子源の作製と特性

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概要

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• ビーム支援プロセスを用いたマスクレス局所プロセスにより、微細な電子源構造を短時間に試作した。ゲート電極にAu, Nbの2種類の金属を用い、高さが570nmと760nmの2種類のPtエミッタを持つ電界放出電子源(FEA)を作製した。ゲート金属の表面状態の違いによる動作電圧の低減を確認した。また、ゲート金属が同じ材料の場合、ゲート上面とエミッタ先端の距離の縮小に伴い、放出電流が増加することを明らかにした。さらに, エミッタの高さの違いによる放出電流の増加だけではなく、放出効率の向上も明らかにした。

• 2001-12-07

著者

• 澤田 明宏

  大阪大学極限科学研究センター

• 高井 幹夫

  大阪大学 極限科学研究センター

• Jarupoonphol Werapong

  大阪大学 極限科学研究センター

• 澤田 明宏

  大阪大学 極限科学研究センター

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