0.3μmCMOSによる1.2Vアナログ/ディジタル回路技術
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概要
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LDB(laterally-doped buried-layer)構造で±0.4Vの閾値電圧を持った0.3μmCMOS技術により、電源電圧1.2Vで動作するアナログ, ディジタル回路技術を開発した。ダブルフィードフォワード位相補償による増幅器をサンプル/ホールドアンプに用いて、9b、2MHz、4mWのパイプライン型A/D変換器を実現した。また、自己電流カット型センスアンプを用いた、16kb、2mW、アクセスタイム32nsのSRAMと、遅延時間400ps、消費電力0.4μW/MHzの基本論理ゲートを実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-06-23
著者
-
矢野 和男
日立中央研究所
-
矢野 和男
早大理工
-
平木 充
株式会社ルネサステクノロジ設計基盤開発部
-
佐々木 靖彦
日立中央研究所
-
佐々木 靖彦
株式会社 日立製作所 中央研究所
-
関 浩一
日立製作所中央研究所
-
石井 達也
日立製作所デバイス開発センタ
-
宮本 正文
日立中央研究所
-
今泉 栄亀
日立超LSIエンジニアリング
-
安保 隆誠
日立超LSIエンジニアリング
-
松浦 達治
日立中央研究所
-
平木 充
日立中央研究所
-
石井 達也
日立中央研究所
-
永井 亮
日立中央研究所
-
西田 高
日立中央研究所
-
関 浩一
日立中央研究所
-
角 成生
日本デバイスエンジニアリング
-
力野 邦人
日本デバイスエンジニアリング
-
永井 亮
(株)日立製作所中央研究所
-
今泉 栄亀
(株)日立超lsiシステムズ先端lsi開発部
-
安保 隆誠
日立超lsiエンジニアリング株式会社
-
松浦 達治
(株)日立製作所半導体事業本部システムlsi事業部システムlsi本部第二システムlsi設計部
-
西田 高
日立製作所半導体事業部生産統括本部生産技術部
-
矢野 和男
?日立製作所中央研究所
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