マイクロコントローラ搭載512KB MONOS型フラッシュメモリモジュール(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
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概要
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マイクロコントローラ搭載用512KB MONOS型フラッシュメモリモジュールを0.18μm CMOSプロセスで試作した。新規MONOS型フラッシュメモリセルは、全読み出しパスをCPUコア用低電圧トランジスタで構成することが可能である。そのため、周辺回路の小面積化を実現でき、メモリモジュール面積は5.4mm^2である。試作結果として、本メモリモジュールは34MHzのランダムアクセス読出しを達成し、64KBにおける書込み時間および消去時間はそれぞれ4ms、11msである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-08-15
著者
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加藤 章
株式会社ルネサステクノロジ
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田中 利広
株式会社ルネサステクノロジ
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山木 貴志
株式会社ルネサステクノロジ
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梅本 由紀子
株式会社ルネサステクノロジ
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品川 裕
株式会社ルネサステクノロジ
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谷川 博之
株式会社ルネサステクノロジ設計基盤開発部
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平木 充
株式会社ルネサステクノロジ設計基盤開発部
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