140mm^2 0.4μm 64Mb AND型フラッシュメモリ
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概要
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携帯用電子機器用の外部記憶として、フラッシュメモリが注目されている。AND型フラッシュメモリは、ビット単価低減に適した小セル面積、高速動作に適した512バイトの消去/書込み単位等の特長を持つ。この64MbAND型フラッシュメモリでは、チップ面積を最小にする設計を行ない、ビット単価低減を図った。ソース線プレートレイアウト、コマンド/アドレスマルチプレックス入力方式、シリアルアドレス比較方式の欠陥救済回路および低電圧消去動作等の設計技術を用い、0.4μmプロセスで139.9mm^2の小チップ面積と、67.4%のセル占有率を達成した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-05-24
著者
-
加藤 章
株式会社ルネサステクノロジ
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田中 利広
株式会社ルネサステクノロジ
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石井 達也
日立製作所半導体事業部
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吉竹 貴之
日立超LSIエンジニアリング
-
加藤 章
日立製作所半導体事業部
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坂本 善徳
日立製作所デバイス開発センタ
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山田 直樹
日立製作所半導体事業部
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田中 利広
日立製作所半導体事業部
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三輪 仁
日立製作所デバイス開発センタ
-
大嶋 一義
日立製作所デバイス開発センタ
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石井 達也
日立製作所デバイス開発センタ
-
吉竹 貴之
(株)日立製作所半導体事業部
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