マイコン搭載フラッシュメモリモジュールの内蔵電源システム(新メモリ技術とシステムLSI)

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概要

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マイコン搭載フラッシュメモリモジュールの内蔵電源システムを開発した.フラッシュメモリの書換え(P/E)回数を向上させるための回路システムとして,メモリセルしきい値の詳細評価を可能にする広範囲出力電圧方式, P/E時のストレスを軽減するP/E温度補償方式を構築する.また,モジュールテスト時間短縮のためのオートトリミング方式を提案する.広範囲出力電圧方式はフラッシュメモリのベリファイ回路に適用し,メモリセルのしきい値判定精度を向上させ,書換え(P/E)条件の最適化を容易にする. P/E温度補償方式はP/E時のメモリセル印加電圧に温度勾配を付加する回路であり,メモリセルへの過剰なストレスを減少させる.オートトリミング方式は多数のマイコン内蔵電源の出力電圧を同時に合わせ込み, P/E特性の向上とテスト時間の短縮を実現する.
社団法人電子情報通信学会の論文
2006-04-06

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