Influential領域を導入した適応型光近接効果補正技術の提案(セッション1)
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概要
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我々は既に,光リソグラフィにおけるマスク製造コストの削減を目指し,適応型光近接効果補正(適応型OPC)技術を提案している.本論文では,適応型OPC技術の計算時間をより削減するために,新たにInfluential領域を提案する.Influential領域とは,マスクパターンを構成するセル内部のパターン情報によって定義される領域で,セル内部のパターンに対応する光近接効果の領域を定めるものである.この技術により,従来の適応型OPCでは一律に定めていた光近接効果領域を厳密に指定することで,計算が必要な領域を低減することができる.この結果,従来の適応型OPC手法と比べてOPC計算時間を削減することが可能となる.既存のLSIパターンに提案手技を適用した検証実験の結果,計算時間の大幅な削減が可能となる見通しを得た.
- 一般社団法人情報処理学会の論文
- 2006-12-21
著者
-
高橋 栄一
産業技術総合研究所
-
村川 正宏
産業技術総合研究所
-
樋口 哲也
産業技術総合研究所
-
田中 稔彦
(株)日立製作所中央研究所
-
田中 稔彦
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構
-
坂無 英徳
産業技術総合研究所
-
高橋 栄一
産業技術総合研究所情報技術研究部門
-
村川 正宏
半導体MIRAIプロジェクト,産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
-
高橋 栄一
半導体MIRAIプロジェクト,産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
-
樋口 哲也
筑波大学大学院システム情報工学研究科
-
松縄 哲明
筑波大学大学院システム情報工学研究科
-
野里 博和
半導体MIRAIプロジェクト 産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター
-
坂無 英徳
半導体MIRAIプロジェクト 産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター
-
寺澤 恒男
半導体MIRAIプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構
-
須賀 治
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
野里 博和
独立行政法人産業技術総合研究所
-
坂無 英徳
独立行政法人産業技術総合研究所
-
村川 正宏
独立行政法人産業技術総合研究所半導体miraiプロジェクト
-
寺澤 恒男
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
田中 稔彦
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
樋口 哲也
独立行政法人産業技術総合研究所半導体miraiプロジェクト
-
松縄 哲明
筑波大学大学院 システム情報工学研究科
-
樋口 哲也
産業技術総合研究所 情報技術研究部門
-
樋口 哲也
産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター
-
高橋 栄一
独立行政法人産業技術総合研究所情報技術研究部門
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