最適化アルゴリズムを用いた光近接効果削減に関する研究
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概要
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近年,半導体の微細化が進むにつれて,半導体を形成する回路のサイズ(配線幅)が光の波長よりも小さくなっている.そのため,露光光源からの光が,回路パターンが描画された原版(マスクパターン)を通過する際に生じる光の回折現象により,シリコンウェハ上の転写パターンの忠実性が著しく損なわれる光近接効果(OPE:Optical Proximity Effect)が顕著になり,さらなる半導体デバイスの微細化を実現することは,非常に難しくなってきている.そこで,本論文では,複雑化する光近接効果に対応した新しいリソグラフィ技術として,OPEキャンセラー技術を提案し,最適化アルゴリズムと組み合わせることで効果的に光近接効果の削減を図る.提案するOPEキャンセラーの基本原理は,OPEキャンセラー(粒々のパターン)によって最適な光の干渉状態を作り出すことである.検証実験の結果,OPEキャンセラーによりOPEを最大60%の削減を図ることが可能であることを示し,提案する最適化アルゴリズムの工夫によって,精度向上の達成を確認した.
- 社団法人情報処理学会の論文
- 2009-02-26
著者
-
村川 正宏
産業技術総合研究所
-
樋口 哲也
産業技術総合研究所
-
野里 博和
産業技術総合研究所
-
坂無 英徳
産業技術総合研究所
-
白石 顕士
東邦大学大学院理学研究科
-
古谷 立美
東邦大学大学院理学研究科
-
野里 博和
独立行政法人産業技術総合研究所
-
坂無 英徳
独立行政法人産業技術総合研究所
-
古谷 立美
東邦大学
-
村川 正宏
産業技術総合研究所情報技術研究部門
-
村川 正宏
独立行政法人産業技術総合研究所半導体miraiプロジェクト
-
樋口 哲也
独立行政法人産業技術総合研究所半導体miraiプロジェクト
-
古谷 立美
東邦大学 理学部
-
古谷 立美
東邦大学大学院理学研究科情報科学専攻
-
樋口 哲也
産業技術総合研究所 情報技術研究部門
-
樋口 哲也
産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター
-
樋口 哲也
産業技術総合研 次世代半導体研究セ
-
坂無 英徳
産業技術総合研 情報技術研究部門
-
村川 正宏
独立行政法人産業技術総合研究所情報技術研究部門
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