高速低消費電流(10GB/s<500mW)シンクロナスダイナミックメモリ用容量結合型メモリバス方式

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概要

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• メモリチップ内のデータ転送速度を10GB/sにしてもそれによる消費電流を500mW以下に出来る、実効的負時間遅延回路を持つ容量結合型メモリバス方式を開発した。この技術によればデータパスにおける消費電流を従来の5分の1(25mW @200MB/s)に、データ転送時間を従来の半分(0.8ナノ秒)に出来る。毎秒10GBのデータ転送を行いながらそれによる消費電流を500mW以下にできる。この500mWは、ダイナミックメモリにおける保持特性を考えたときに必要となる値である。

• 1996-07-18

著者

• 藤原 淳

  松下電子工業(株)メモリ事業部

• 藤田 勉

  松下電子工業(株)メモリ事業部

• 鈴木 利一

  松下電子工業(株)メモリ事業部

• 山田 俊郎

  松下電子工業(株)メモリ事業部

• 縣 政志

  松下電子工業(株)メモリ事業部

• 藤田 勉

  松下電器産業半導体研究センター

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