藤原 淳 | 松下電子工業(株)メモリ事業部

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• 藤原 淳

  松下電子工業(株)メモリ事業部

• 藤田 勉

  松下電子工業(株)メモリ事業部

• 山田 俊郎

  松下電子工業(株)メモリ事業部

• 藤田 勉

  松下電器産業半導体研究センター

• 鈴木 利一

  松下電子工業(株)メモリ事業部

• 縣 政志

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• 松山 和弘

  松下電器産業半導体研究センター

• 藤田 勉

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• 岩成 俊一

  松下電器産業株式会社 半導体社 システムLSI開発本部

• 懸 政志

  松下電子工業(株)メモリ事業部

• 藤原 淳

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• 菊川 博仁

  松下電器産業半導体研究センター

• 縣 政志

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• 福本 美奈子

  松下電器産業半導体研究センター

• 山田 俊郎

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• 菊川 博仁

  松下電器産業(株)半導体社開発本部

• 福本 美奈子

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著作論文

• 高速低消費電流(10GB/s
• 100MHz16MビットシンクロナスDRAM MN4SV16160/MN4SV16080 (特集/メモリデバイス) -- (半導体メモリ)
• 高速低消費電力SDRAM用容量結合型メモリバス方式
• ブロックアクセスモード搭載200MHz16MbitシンクロナスDRAMの回路技術

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