自動車用MCU対応 8kB EEPROMエミュレーションデータフラッシュモジュールと混載フラッシュの動向(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• この論文は、メモリセルとして2つの独立したチャンネルを持つDual-channel NOR-type flash memory cell(DCNOR)を使い、システムボード上にある外付けEEPROMを置き換えMCU内部に内蔵することができる8kB EEPROM-Emulation Data FLASH(E2FLASH)に関するものである。DCNORセルは、従来と同じプロセスで製造することができ、読み出し動作と書き込み動作を異なったチャンネルで行うことで高い信頼性を実現した。また、モジュール設計において、このDCNORに最適化された消去シーケンス、チップアーキテクチャを採用したことにより、本8kB E2FLASHは、1M回以上のデータの書き換え回数と20msec/blockの消去時間を達成した。

• 2008-04-10

著者

• 大石 司

  (株)ルネサステクノロジ

• 河井 伸治

  (株)ルネサステクノロジ

• 久家 重博

  (株)ルネサステクノロジ

• 細金 明

  (株)ルネサステクノロジ

• 阿部 俊広

  (株)ルネサステクノロジ

• 橋本 康平

  (株)ルネサステクノロジ

• 辻 直樹

  (株)ルネサステクノロジ

• 榊原 清彦

  (株)ルネサステクノロジ

• 野口 健二

  (株)ルネサステクノロジ

関連論文

• 低電圧・高速動作を実現した1.2V単一動作の130nm混載向け1Mbit MRAMコア(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)
• 低電圧・高速動作を実現した1.2V単一動作の130nm混載向け1Mbit MRAMコア
• MRAMに適したパイプライン型セルフリファレンス手法の検討(新メモリ技術とシステムLSI)
• 自動車用MCU対応 8kB EEPROMエミュレーションデータフラッシュモジュールと混載フラッシュの動向(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
• C-12-41 メモリ高速インタフェースのスルーレート制御手法(C-12. 集積回路D(メモリ), エレクトロニクス2)

スポンサーリンク