触媒CVD法によるガリウムヒ素表面清浄化とシリコン窒化膜堆積
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概要
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本論文は, 触媒CVD(Cat-CVD)法によるアンモニアガスの分解反応を利用したGaAsの表面清浄化と表面安定化の新しい方法について提案している.本手法により, 基板温度が150℃程度でGaAs基板表面が清浄化されることが確認された.また, 処理時間を長くすることでGaAs表面の数nmが窒化することも確認された.さらに, 触媒CVD法による堆積SiN_x膜のGaAsデバイスの表面保護膜としての有用性についても述べている.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-21
著者
-
和泉 亮
北陸先端科学技術大学院大学
-
松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学
-
増田 淳
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科:(現)産業技術総合研究所
-
松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科
-
増田 淳
北陸先端大
-
増田 淳
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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