cat-CVD法を用いた薄膜堆積と半導体表面改質
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- Cat-CVD法を用いた極薄ゲート絶縁膜の形成
- 触媒化学気相成長法 : 最近の進展と今後の展望
- Cat-CVD装置を用いたULSI材料の表面窒化とエッチング
- 制限反応スパッタ法によるZrO_2の成長とゲート絶縁膜特性
- SC-8-6 Cat-CVD法による poly-Si TFT の低温形成とその特性
- Cat-CVD技術の開発状況と応用展開 (特集2 次世代半導体プロセス・材料の課題)
- 触媒体上でのNF_3ガス分解反応を用いた低コスト・低環境負荷チャンバークリーニング法の開発
- 解説 Cat-CVD技術とその応用例として半導体関連での適用事例を紹介 Cat-CVD法による薄膜形成とその応用展開 (特集2 実用化進む最先端半導体製造技術&装置)
- ケミカル・スパッタリング法による巨大粒径poly-Si薄膜の作製
- Cat-CVD法による低温poly-Si膜形成とTFTへの応用
- Cat-CVD SiNx膜の面内均一性向上に関する検討
- 触媒CVD法によるガリウムヒ素表面清浄化とシリコン窒化膜堆積
- 触媒CVD(Cat-CVD)法による低温薄膜形成
- cat-CVD法を用いた薄膜堆積と半導体表面改質
- 触媒化学気相堆積法による薄膜形成
- 触媒化学気相堆積法による薄膜形成 (特集 触媒CVD法による薄膜・プロセス技術)
- 埋もれている大きな研究テーマ
- Cat-CVD 技術
- 触媒化学気相堆積(Cat-CVD)法の現状と今後の展望
- Cat-CVD法による窒化シリコン薄膜の低温堆積 : 気相診断と膜質評価(半導体エレクトロニクス)
- 有機ELディスプレイ用水蒸気バリア膜の形成 : 低温触媒CVD装置の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- CS-5-7 Cat-CVD法により作製した窒化シリコン膜の特性とデバイス応用(CS-5.ナノスケール時代を迎えた薄膜電子材料の展開,エレクトロニクス2)
- Cat-CVD 法によるガスバリア膜の低温形成
- Cat-CVD法の包装用ガスバリアフィルム製造工程への適用 (特集 マーケット創出の成否を決する次世代パッケージング) -- (未来のマーケットを支える技術と商品開発)
- ELAポリシリコン薄膜の大粒径化 : 結晶成長と水素の関係(シリコン関連材料の作製と評価)
- 加熱触媒体により発生させた水素原子によるプラズマレス・レジスト剥離技術(薄膜プロセス・材料,一般)
- Cat-CVD法により形成したSiNx膜の応力制御(S05-3 薄膜の強度物性,S05 薄膜の強度物性と信頼性)
- Cat-CVD法で作製したSiN_x膜のGaAsトランジスタ保護膜への応用(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- Cat-CVD技術の現状と将来展望 : 気相診断からデバイス応用まで
- Cat-CVD法によるアモルファスシリコン太陽電池の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- Cat-CVD法によるアモルファスシリコン太陽電池の作製
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- [招待論文]Cat-CVD a-Si:H膜のレーザアニール特性とpoly-Si TFTの作製(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- 触媒化学気相成長法による1mサイズ基板上への均一堆積技術開発
- Cat-CVD法によるTFT作製
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- [招待論文]Cat-CVD a-Si:H膜のレーザアニール特性とpoly-Si TFTの作製(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- [招待論文]Cat-CVD a-Si:H膜のレーザアニール特性とpoly-Si TFTの作製(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- 有機ELディスプレイ用水蒸気バリア膜の形成 : 低温触媒CVD装置の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- 有機ELディスプレイ用水蒸気バリア膜の形成 : 低温触媒CVD装置の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- 次世代高性能薄膜材料形成法としてのCat-CVD
- CT-1-1 Cat-CVD法の基礎と産業応用の現状(CT-1. サスティナブル社会のための先端デバイス・材料とプロセス技術の現在と未来,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- Cat-CVD/レーザアブレーション複合プロセスで作製したEr添加a-Si:H薄膜の発光特性
- Cat-CVD法によるTFT作製
- 低温触媒CVD装置の開発 (特集/新規事業創出と大学発ベンチャー)
- Cat-CVD装置を用いたULSI材料の表面窒化とエッチング
- Cat-CVD法による低温poly-Si膜形成とTFTへの応用
- ノイズ抑制シートを装着したマイクロストリップ線路間のクロストーク(研究速報)
- ノイズ抑制シートを装着したマイクロストリップ線路伝送特性の畳込み積分を用いたFDTD計算(電磁環境・EMC)
- 自動車EMC試験方法と設備
- 車体表面の表面電流の測定に関する研究
- C-2-89 ストリップ線路におけるFDTD計算のための終端の等価回路(C-2.マイクロ波B(受動デバイス))
- FDTD法におけるストリップ線路の電流分布を考慮した終端方法に関する検討
- FDTD法におけるストリップ線路の終端方法に関する検討
- アモルファスシリコンの低水素化
- 金属/絶縁体トンネル接合トランジスタの実験的検証
- 金属/絶縁体トンネル接合トランジスタの実験的検証
- 金属/絶縁体トンネル接合トランジスタの検討
- Tiを用いたナノ・メーター超微細加工技術の開発
- Large Area LCD, Equipment, Backlight, Plastic Display の Sessionを中心としたIDMC-02会議報告(CIC, 旧STDPおよびIDMC合同報告会)
- Large Area LCD, Equipment, Backlight, Plastic DisplayのSessionを中心としたIDMC-02会議報告
- Cat-CVD法によるシリコン窒化膜を用いたCMOS ISFETセンサアレイの医療応用
- 触媒化学気相成長法 : 最近の進展と今後の展望
- アモルファスシリコン光導電素子の周波数応答(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- Cat-CVD法による薄膜トランジスタ製造技術の最近の進展
- 触媒化学気相成長法によるアモルファスシリコンの成膜とデバイス応用
- 触媒CVD技術の大面積次世代ディスプレイへの適用
- 多結晶シリコン光導電素子の周波数応答(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- Cat-CVD法による微結晶シリコン膜の作成とデバイス応用 (アモルファス半導体と関連物質--乱れた系、アモルファス半導体、微結晶半導体 特集号) -- (4.微結晶シリコン)
- 触媒CVD(cat-CVD)法によるシリコン系薄膜堆積
- 半導体技術から見たTFT-LCDの将来像
- 触媒CVD法によるアモルファス・シリコン薄膜の作製
- 駆動用蓄電池搭載車の安全性評価について : 路上使用時のアクシデントを想定した条件の検討
- 電子制御システムの台上評価について : ABSを事例としたケーススタディ
- PS-165-4 陽子線治療適応拡大のためのスペーサー挿入術(PS-165 手術経験,ポスターセッション,第112回日本外科学会定期学術集会)
- High Efficiency Silicon Solar Cells Fabricated by Catalytic Chemical Vapor Deposition (Cat-CVD) Technology
- 触媒化学気相成長(Cat-CVD)法による高効率シリコン太陽電池の開発