Cat-CVD法による低温poly-Si膜形成とTFTへの応用
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概要
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触媒化学気相成長(Cat-CVD)法は、ホットワイアCVD法とも呼ばれ、大面積低温薄膜堆積法として各種半導体デバイス製造工程への適用が検討されつつある。とりわけCat-CVD法で作製した多結晶シリコン(poly-Si)膜の薄膜トランジスタ(TFT)への応用には大きな期待が寄せられている。著者等は1991年に世界に先駆けて、Cat-CVD法によるpoly-Si膜の成長に成功し、1998年度からは通商産業省工業技術院の大学連携型産業科学技術研究開発プロジェクトのもとに、新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)から委託を受け、Cat-CVD法によるpoly-Si膜形成とTFTへの応用に体系的に取り組んでいる。本稿では、同プロジェクトで得られた成果を中心に、Cat-CVD法で低温形成されたpoly-Si膜の各種構造的特性、電気的特性について紹介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-04-13
著者
-
和泉 亮
北陸先端科学技術大学院大学
-
松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学
-
増田 淳
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科:(現)産業技術総合研究所
-
松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科
-
増田 淳
北陸先端大
-
増田 淳
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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