ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
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概要
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本研究の目的はCat-CVD SiN基板上に形成されたELAによるpoly-Siの成長に関し、水素の役割を定量的に明らかにすることである。Cat-CVD SiN膜の水素濃度は2.3、4.2、8.2at%である。エネルギー密度500mJ/cm^2の場合、8.2at%のラマンピークFWHMは急激に増加し、8.2at%のスピン密度は2.3at%より大きい。これはELAによってSiNからSi中に取り込まれた水素が真空中へ突沸する際に結晶欠陥を生成する為であると考えられる。エネルギー密度318mJ/cm^2の場合、H_2濃度2.3およびH_2濃度4.2at%においてはショット数の増加に連れてΔωは急激に減少しているが、8.2at%についてはショット数に連れゆっくりと減少する。H_2濃度2.3at%のグレインサイズは4.2at%よりも大きい。これらの現象を、水素の混入と基板熱伝導率を考慮した固相成長(solid phase crystallization, SPC)モデルを用いて議論を行う。又、SiN膜からpoly-Siへの低濃度水素供給という観点からCat-CVD法の有用性に付いて触れる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-08
著者
-
松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学
-
柴田 賢一
三洋電機(株)研究開発本部アドバンストエナジー研究所
-
柴田 賢一
三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所
-
柴田 賢一
三洋電機(株)
-
増田 淳
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科:(現)産業技術総合研究所
-
浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
-
山野 耕治
三洋電機(株)ニューマテリアル研究所
-
浜田 弘喜
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
長谷川 勲
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科
-
河本 直哉
山口大学工学部電気電子工学科
-
増田 淳
北陸先端大
-
ファクルル アンワル
山口大学工学部
-
余頃 祐介
北陸先端科学技術大学院大学
-
松尾 直人
山口大学工学部
-
アンワル ファクルル
山口大学工学部
-
余頃 祐介
北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
河本 直哉
山口大学大学院理工学研究科
-
浜田 弘喜
三洋電機(株)デジタルシステム研究所
-
河本 直哉
山口大 工
-
AZIZ Fakhrul
山口大学工学部
-
長谷川 勲
三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所
-
Anwar F
山口大学工学部
-
松尾 直人
山口大
-
河本 直哉
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県大
-
柴田 賢一
三洋電機株式会社・機能材料研究所
-
増田 淳
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
-
山野 耕治
三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所
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