nチャネル縦型有機トランジスタの作製及び特性評価(有機材料,一般)

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概要

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縦型有機トランジスタ(OTFT)は、短チャネル化を容易に実現できるため、低駆動電圧化、大電流化、高速化を図る上で有利である。これまでペンタセンを用いたpチャネル縦型OTFTを作製し、3V程度の低駆動電圧での動作を実現した。しかし、論理回路やイメージセンサなどに用いられるCMOSを構築するには、pチャネルと同等の性能を有した高性能なnチャネルOTFTの開発が必要である。今回、数V程度の低い電圧で動作するnチャネル縦型OTFTの実現を目標とし、素子構造及び材料の検討を行った。ゲート絶縁膜にAl_2O_3/Parylene Cの積層構造を用いた素子において、大気中、駆動電圧8V以下でon/off比10^5、また、使用したn型半導体(PTCDI-C13)の電界効果移動度として1.2×10^<-4>cm^2/Vsを得た。
社団法人電子情報通信学会の論文
2009-10-16

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