エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
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概要
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本研究の目的は、Si/a-Si/石英構造において石英基板側からエキシマ・レーザを照射することによるpoly-Si(polycrystalline Si)の結晶化、特に2次元結晶成長に及ぼす効果を調べることである。ラマンピークシフト及び半値幅の表面と界面の差は、放熱板の有る場合が無い場合と比べて小さい。これは放熱板の有る場合の方が内部応力及び欠陥密度の表面及び界面の差が放熱板の無い場合よりも小さいことを示している。放熱板の有るpoly-SiのXRD強度は無い場合よりも大きい。放熱板により結晶化率が促進されたと考えられる。400mJ/cm^2、100ショット放熱板の有る場合の支配的な結晶成長機構はSEMの結果から過冷却液体からの固体化、及び無い場合は二次元結晶成長である。TEMの結果から放熱板の有る場合poly-Si中に積層欠陥を生じることによる応力緩和が観測された。これらの結果を界面からのみならず表面からも核形成を生じていると仮定して議論をおこなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-07
著者
-
柴田 賢一
三洋電機(株)研究開発本部アドバンストエナジー研究所
-
柴田 賢一
三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所
-
柴田 賢一
三洋電機(株)
-
浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
-
山野 耕治
三洋電機(株)ニューマテリアル研究所
-
浜田 弘喜
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
長谷川 勲
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
河本 直哉
山口大学工学部電気電子工学科
-
ファクルル アンワル
山口大学工学部
-
松尾 直人
山口大学工学部
-
アンワル ファクルル
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
河本 直哉
山口大学大学院理工学研究科
-
浜田 弘喜
三洋電機(株)デジタルシステム研究所
-
河本 直哉
山口大 工
-
AZIZ Fakhrul
山口大学工学部
-
長谷川 勲
三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所
-
Anwar F
山口大学工学部
-
松尾 直人
山口大
-
河本 直哉
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県大
-
柴田 賢一
三洋電機株式会社・機能材料研究所
-
山野 耕治
三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所
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