多結晶Si薄膜の結晶欠陥と結晶粒径の関係
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概要
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多結晶Si薄膜の結晶性と表面モホロジーをラマン(Raman)分光法, 電子スピン共鳴法(ESR), および, 原子間力顕微鏡(AFM)により調べた. 更に, ESR信号強度と結晶粒径の関係を, 結晶欠陥が結晶粒の表面に存在すると仮定したモデルにより理論的に検討した. 理論曲線は測定結果に厳密には一致しないが, 結晶粒径が小さくなるに従い, ESR信号強度が大きくなるという物理現象には一致する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-25
著者
-
浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
-
綾 洋一郎
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
三好 正毅
山口大学工学部電気電子工学科
-
松尾 直人
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
衣笠 彰則
山口大学工学部
-
納田 朋幸
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
納田 朋幸
三洋電機
-
松尾 直人
兵庫県大
-
綾 洋一郎
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
浜田 弘喜
三洋電機株式会社 先進太陽光発電開発センター
-
衣笠 彰則
山口大学工学部電気電子工学科
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