ELA法によりSiO_2/SiN/glass基板上に形成されたpoly-si薄膜の結晶成長と水素の関係
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概要
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本研究の目的は、SiO_2/SiN/glass(SiN基板)、SiO_2/glass(SiO_2基板)及び石英基板上に形成されたpoly-Siのラマンピークシフト、及びラマン半値全幅(full width at half maximum, FWHM)の違いから、SiN基板中の水素の振舞いについて調べることである。次いで、水素原子及び熱伝導率を考慮した核形成モデルについて議論する。poly-Siの結晶性は強い基板依存性があることが光学的手法を用いることにより初めて明らかにされる。SiN基板上のpoly-Siにおいては、支配的な核形成サイトはELAによる水素分子の窒沸によりSi液体中に形成されると考えられる。又、SiO_2及び石英基板上のpoly-Siにおいては、結晶成長は温度分布に従いa-Si/基板界面からa-Si表面へと進むため、支配的な核形成サイトはa-Si/SiO_2もしくはa-Si/石英との界面欠陥であると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-04-09
著者
-
浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
-
阿部 寿
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
納田 朋幸
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
松尾 直人
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
河本 直哉
山口大学大学院理工学研究科
-
阿部 寿
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
田口 亮平
山口大学工学部
-
納田 朋幸
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
納田 朋幸
三洋電機
-
浜田 弘喜
三洋電機(株)デジタルシステム研究所
-
河本 直哉
山口大 工
-
松尾 直人
山口大
-
河本 直哉
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県大
-
田口 亮平
山口大学工学部電気電子工学科
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