固相成長とエキシマレーザアニール法で形成したPoly-Si薄膜の特性評価
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概要
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固相成長(SPC)エキシマレーザアニール(ELA)及び熱処理(PHT)を組み合わせて形成したpoly-Si薄膜を用いること仁より、高性能poly-Si TFTを開発した。この薄膜の結晶粒径, スピン密度, 表面ラフネスは各々2.0μm,<1.0x10^<17>cm^-3,1Onmである。この薄膜を用いて試作したpoly-Si TFTの特性解析から、トラップ準位密度(No), 電子散乱障壁の高さ(E_B)は各々7.3×10^<11>eV/cm^2, 7.3meVである。これらの値は従来のSPC法で作製したもの(No=1.5×10^<12>eV/cm^2, E_B8.9meV)と比べて良好な値であることが判った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-04-23
著者
-
浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
-
綾 洋一郎
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
阿部 寿
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
納田 朋幸
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
長谷川 勲
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
宮井 良雄
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
阿部 寿
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
宮井 良雄
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
納田 朋幸
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
納田 朋幸
三洋電機
-
浜田 弘喜
三洋電機(株)デジタルシステム研究所
-
長谷川 勲
三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所
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