イオンドープpoly-Si膜のエキシマレーザによる活性化とTFTへの応用

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概要

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イオンドーピング法とエキシマレーザ活性化法を用いたドープpoly-Si膜の形成について検討した。その結果、室温プロセスにおいて、膜厚50nmのpoly-Si膜でシート抵抗80Ω/□(ρ=4×10^<-4>Ω・cm)を得た。この低抵抗化の要因として、活性化後も膜中に残余した水素(0.2at%)も寄与していることを明らかにした。また、エキシマレーザ活性化重複部でのシート抵抗の高抵抗化の要因は、結晶性の低下に起因しており、活性化時に基板加熱(〜300℃)することで、均一化が可能であることを明らかにした。さらに、高品質poly-Si膜を用いたTFTに本手法を適用し、高電界効果移動度440cm^2/V・sを実現した。
社団法人映像情報メディア学会の論文
1995-02-17

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