イオン注入時の酸化膜ダメージのQ_BD>法による評価
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概要
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アンテナMOSキャパシタにイオン注入を行った場合の酸化膜ダメージをQ_BD>法を用いて評価した.ポリシリコン膜厚と注入エネルギーの関係について調べた結果,イオン注入時の酸化膜の劣化には2つのモードがあることが判った.注入エネルギーが十分低い場合,酸化膜は注入された電荷量にのみ依存した劣化を示す.注入エネルギーが高い場合には,注入電荷量のみならず,照射されたイオンやノックオン原子によりリコイル注入の影響での劣化が見られ,その劣化量は注入エネルギーに依存する.前者の劣化は電子シャワー照射による中和を行うことで抑えることができ,後者の劣化は注入エネルギーを最適化することで防止できる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-12-10
著者
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藤原 英明
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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西田 篤弘
三洋電機マイクロエレクトロニクス研究所
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長沢 秀治
三洋電機マイクロエレクトロニクス研究所
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藤原 英明
三洋電機マイクロエレクトロニクス研究所
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豆野 和延
三洋電機マイクロエレクトロニクス研究所
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鈴木 浩司
三洋電機マイクロエレクトロニクス研究所
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米田 清
三洋電機マイクロエレクトロニクス研究所
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米田 清
三洋電機(株)セミコンダクターカンパニー 有機el事業化プロジェクト
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鈴木 浩司
三洋電機(株)セミコンダクターカンパニー 有機el事業化プロジェクト
-
豆野 和延
三洋電機(株)セミコンダクターカンパニー 有機el事業化プロジェクト
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