TiN/Tiキャップ層を有するAl積層配線のエレクトロマイグレーション
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概要
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積層配線におけるキャップ層として,TiN, Ti積層構造の適用を検討した.TiN/Ti構造では十分な反射防止能力を持つだけでなく,TiN/Al界面でのAlN形成を防ぐことができるため,2層メタル配線でのビアコンタクト抵抗の増大が抑制できる.またTi膜厚の増加,シンター温度の上昇に伴って配線のEM耐性も向上する.これはTi/Al界面でAl_3Ti合金層が形成されることと密接な関連があり,合金層の膜厚とEM耐性とが正の相関にあることが判った.TiN/TiキャップでのEM耐性の向上は,Al_3Ti合金層がTiNに比べ電流のバイパスとして有効に作用すること,AlTi/Al界面でのAl原子のマイグレーションを抑制することによるものであると思われる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-01-28
著者
-
米田 清
三洋電機マイクロエレクトロニクス研究所
-
井上 恭典
三洋電機(株)
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山下 富生
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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井上 恭典
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
谷本 伸一
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
辻村 和俊
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
井上 恭典
三洋電機マイクロエレクトロニクス研究所
-
谷本 伸一
三洋電機マイクロエレクトロニクス研究所
-
辻村 和俊
三洋電機マイクロエレクトロニクス研究所
-
山下 富生
三洋電機マイクロエレクトロニクス研究所
-
井原 良和
三洋電機マイクロエレクトロニクス研究所
-
山下 保彦
三洋電機マイクロエレクトロニクス研究所
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