ダイレクトオンメタル構造のイオン注入有機SOG層間絶縁膜形成技術
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概要
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イオン注入した低誘電率有機SOG膜を用いて、ダイレクトオンメタル構造の層間絶縁膜を検討した。イオン注入法を用いることにより、有機SOG膜とTiN界面の密着強度が改善され、ダイレクトオンメタル構造で多層配線を形成できることを見出した。配線間スペースを0.5μmとした櫛形パターンの配線負荷から配線遅延を評価した結果、100nmのライナー膜を有する従来条件にくらべて配線遅延が10%低減した。さらに、0.18μmの配線スペースにおいては約20%低減すると予測でき、本プロセスを用いた配線容量の低減効果は配線間スペースの減少に伴って顕著になることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-22
著者
-
実沢 佳居
三洋電機株式会社 研究開発本部 アドバンストデバイス研究所
-
渡辺 裕之
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
-
松原 直輝
三洋電機(株)
-
水原 秀樹
三洋電機(株)
-
植田 慶一
三洋電機(株)
-
井上 恭典
三洋電機(株)
-
茨木 晃
三洋電機(株)
-
井上 恭典
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
水原 秀樹
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
井上 恭典
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
松原 直輝
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
-
水原 秀樹
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
-
植田 慶一
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
-
茨木 晃
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
-
実沢 佳居
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
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