イオン注入法を用いた有機SOG膜の改質

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概要

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イオンを注入して改質された有機SOG膜の構造、安定性、及び電気的特性(誘電率)について評価した。イオンを注入して改質された有機SOG膜の構造は、FT-IR法、SIMS法、ESR法を用いて検討した。その結果、(1)C-H結合が減少すると、(2)Si-O結合の減少は少ないこと、(3)もとの有機SOG膜中に存在しなかったSi-H結合が形成されること、(4)炭素が膜中に残留していること、(5)炭素のダングリングボンドが形成されることが分かった。耐熱性、プラズマ耐性、吸湿性などを評価した結果、MOSLSIの層間絶縁膜として優れた特性をもつことが分かった。さらに、改質されたSOGがビア・ホール側面に露出しても、SOGのretrogressionがないことを確認した。また、比誘電率はイオンを注入することで高くなるが、イオン種に依存せず3.5程度になることが分かった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-11-25

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