イオン注入SOG膜のCMPプロセスへの適用
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概要
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LSIの高性能化に伴い, 層間絶縁膜のグローバルな平坦性と低誘電率化が要求されている. 我々は, 既に実用化されている低誘電率材料である有機SOGを, グローバル平坦化の可能なCMPプロセスに適用することを検討した. 有機SOG膜にイオン注入を行うことで, スクラッチを生じることなく研磨速度を飛躍的に増大できることを見出した. イオン注入による研磨速度増加の主要因は, SOG膜の濡れ性が改善されるためであると考えられる. この特性を生かし, イオン注入SOG膜とPE-TEOS膜の積層膜を同時にCMPする新たな層間膜プロセスを提案し, 良好な平坦性を持つ多層配線構造を実現できることを示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-24
著者
-
花房 寛
三洋電機株式会社
-
渡辺 裕之
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
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水原 秀樹
三洋電機(株)
-
井上 恭典
三洋電機(株)
-
井上 恭典
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
水原 秀樹
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
吉年 慶一
三洋電機株式会社
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井上 恭典
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
水原 秀樹
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
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岡山 芳央
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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谷本 伸一
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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辻村 和俊
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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花房 寛
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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吉年 慶一
三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所
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