注入改質SOGを用いた高温スパッタAl-Plugプロセス
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概要
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高温スパッタAl-Plugプロセスを検討した。本プロセスは低コスト配線技術として注目されていたが、微細化が進むにつれて、SOGを用いた平坦化技術が高温スパッタの阻害要因となってきたため、見捨てられつつある技術である。阻害要因はコンタクト形状と層間膜からの脱ガスである。この問題をイオン注入により改質した有機SOGを用いることで克服し、Aspect Ratio3のビアを安定して埋め込むことに成功した。これにより、0.35μm世代のLSI配線技術として実用化することに成功した。本プロセスは既存装置の改造のみで対応できるので設備投資を抑制できるだけでなく。現在主流となっているW-Plugプロセスに比べて製造工程を削減することができる。また、地球温暖化ガスなどの排出量も削減できるので地球環境にやさしいプロセスである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-01-21
著者
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山田 勝雄
三洋電機(株)セミコンダクターカンパニー Mos-lsi事業部
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水原 秀樹
三洋電機(株)
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井上 恭典
三洋電機(株)
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水原 秀樹
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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今井 憲次
三洋電機
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今井 憲次
三洋電機(株)超LSI技術開発ブロジェクト
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井上 恭典
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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西村 英孝
三洋電機(株)セミコンダクターカンパニー MOS-LSI事業部
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竹川 一之
三洋電機(株)セミコンダクターカンパニー MOS-LSI事業部
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坂東 淳史
三洋電機(株)セミコンダクターカンパニー MOS-LSI事業部
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今井 憲次
三洋電機(株)セミコンダクターカンパニー Mos-lsi事業部
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