イオン注入有機SOG膜を用いた低誘電率層間絶縁膜形成技術
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概要
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イオン注入有機SOG膜を用いた低誘電率層間絶縁膜の形成方法を検討した。イオンの注入量と有機SOG膜の誘電率の関係を調べた結果、中ドーズ領域 (≦5x10^<14>ions/cm^2) では、注入量の増加とともに誘電率は高くなるが、2x10^<15>ions/cm^2以上注入すると、誘電率が低下することを見出した。中ドーズ領域以下で誘電率が増加する原因は、イオン注入で親水性となったSOG膜中のポアサイトに水分が吸湿されるためである。したがって、イオン注入有機SOC膜の低誘電率化には、膜中水分の増加を抑制するために2x10^<15>ions/cm^2以上のイオン注入でSOG膜中のポアサイトを消失させる必要が有ることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-01-23
著者
-
実沢 佳居
三洋電機株式会社 研究開発本部 アドバンストデバイス研究所
-
花房 寛
三洋電機株式会社
-
渡辺 裕之
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
-
松原 直輝
三洋電機(株)
-
水原 秀樹
三洋電機(株)
-
井上 恭典
三洋電機(株)
-
井上 恭典
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
水原 秀樹
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
吉年 慶一
三洋電機株式会社
-
井上 恭典
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
松原 直輝
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
-
水原 秀樹
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
-
岡山 芳央
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
谷本 伸一
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
花房 寛
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
吉年 慶一
三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
実沢 佳居
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
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