イオン注入法による化学増幅型レジストのドライエッチング耐性の向上 : 化学増幅型レジストの表面改質の検討

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
エキシマレーザリソグラフィで用いる化学増幅型レジストパターンにイオンを注入して改質することにより、ドライエッチングにおけるレジストのエッチングレートを低減させる技術を開発した。このイオン注入したレジストの構造解析を行った結果、レジストパターンの表面にダイヤモンド状炭素膜が形成されており、この膜がレジストのエッチングレートを低減させる主要因であると考えられる。ドライエッチングでの対レジスト選択比は、ドーズ量が1.0×10^<16>cm^<-2>、加速エネルギーが100keVでイオン注入を行った場合、10.9にまで達し、イオン未注入時に比べ約8倍とかなり大きな値となった。したがって、レジストにイオンを注入する技術は今後のLSIの微細化に非常に有効であると考えられる。
1997-11-21

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク